SI4916DY-T1-GE3 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [3968पीसी स्टक]
- 2,500 pcs$0.31128
- भाग संख्या:
- SI4916DY-T1-GE3
- निर्माता:
- Vishay Siliconix
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, डायोडहरू - जेनर - एर्रे and डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Vishay Siliconix SI4916DY-T1-GE3 electronic components. SI4916DY-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4916DY-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI4916DY-T1-GE3 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
SI4916DY-T1-GE3
निर्माता :
Vishay Siliconix
वर्णन :
MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC
श्रृंखला :
LITTLE FOOT®
भाग स्थिति :
Obsolete
FET प्रकार :
2 N-Channel (Half Bridge)
FET फिचर :
Logic Level Gate
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
10A, 10.5A
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
18 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
3V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
10nC @ 4.5V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
-
पावर - अधिकतम :
3.3W, 3.5W
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
प्याकेज / केस :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
8-SO
ताजा समाचारहरू
तपाईलाई पनि चासो लाग्न सक्छ
तातो पार्ट्स
- VKM40-06P1
- VMM85-02F
- GMM3X100-01X1-SMDSAM
- UPA2380T1P-E4-A
- BUK9MNN-65PKK,518
- AO4850
- UPA672T-T1-A
- AO4840L_102
- SI4965DY-T1-GE3
- FDG6301N-F085P
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- FDS8947A
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