IXYS - IXFM67N10

KEY Part #: K6400904

[3236पीसी स्टक]


    भाग संख्या:
    IXFM67N10
    निर्माता:
    IXYS
    विस्तृत विवरण:
    POWER MOSFET TO-3.
    Manufacturer's standard lead time:
    स्टक मा
    आफ्नो जीवन:
    एक वर्ष
    बाट चिप:
    हंगकंग
    RoHS:
    भुक्तानी विधि:
    ढुवानी मार्ग:
    परिवार कोटिहरू:
    KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, Thyristors - DIACs, SIDACs, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल and ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू ...
    प्रतिस्पर्धी लाभ:
    We specialize in IXYS IXFM67N10 electronic components. IXFM67N10 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFM67N10, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IXFM67N10 उत्पाद गुणहरू

    भाग संख्या : IXFM67N10
    निर्माता : IXYS
    वर्णन : POWER MOSFET TO-3
    श्रृंखला : HiPerFET™
    भाग स्थिति : Last Time Buy
    FET प्रकार : N-Channel
    टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
    स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 100V
    हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 67A (Tc)
    ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
    Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 25 mOhm @ 33.5A, 10V
    Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 4V @ 4mA
    गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 260nC @ 10V
    Vgs (अधिकतम) : ±20V
    इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 4500pF @ 25V
    FET फिचर : -
    पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 300W (Tc)
    अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
    माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
    आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-204AE
    प्याकेज / केस : TO-204AE

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