Vishay Siliconix - SIHFS9N60A-GE3

KEY Part #: K6393061

SIHFS9N60A-GE3 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [84853पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.46081

भाग संख्या:
SIHFS9N60A-GE3
निर्माता:
Vishay Siliconix
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO263.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, Thyristors - DIACs, SIDACs, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प and Thyristors - SCRs ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
We specialize in Vishay Siliconix SIHFS9N60A-GE3 electronic components. SIHFS9N60A-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHFS9N60A-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHFS9N60A-GE3 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : SIHFS9N60A-GE3
निर्माता : Vishay Siliconix
वर्णन : MOSFET N-CH 600V 9.2A TO263
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 600V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 9.2A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 750 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 4V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 49nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±30V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 1400pF @ 25V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 170W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-263 (D²Pak)
प्याकेज / केस : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

तपाईलाई पनि चासो लाग्न सक्छ