Toshiba Semiconductor and Storage - TK31J60W5,S1VQ

KEY Part #: K6416292

TK31J60W5,S1VQ मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [12995पीसी स्टक]

  • 1 pcs$3.50567
  • 25 pcs$3.48823

भाग संख्या:
TK31J60W5,S1VQ
निर्माता:
Toshiba Semiconductor and Storage
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-3PN.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, डायोडहरू - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, डायोडहरू - जेनर - एर्रे and ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK31J60W5,S1VQ उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : TK31J60W5,S1VQ
निर्माता : Toshiba Semiconductor and Storage
वर्णन : MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-3PN
श्रृंखला : DTMOSIV
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 600V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 30.8A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 88 mOhm @ 15.4A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 3.7V @ 1.5mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 105nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±30V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 3000pF @ 300V
FET फिचर : Super Junction
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 230W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-3P(N)
प्याकेज / केस : TO-3P-3, SC-65-3

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