NXP USA Inc. - BST72A,112

KEY Part #: K6400305

[3443पीसी स्टक]


    भाग संख्या:
    BST72A,112
    निर्माता:
    NXP USA Inc.
    विस्तृत विवरण:
    MOSFET N-CH 100V 190MA SOT54.
    Manufacturer's standard lead time:
    स्टक मा
    आफ्नो जीवन:
    एक वर्ष
    बाट चिप:
    हंगकंग
    RoHS:
    भुक्तानी विधि:
    ढुवानी मार्ग:
    परिवार कोटिहरू:
    KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, डायोडहरू - जेनर - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या and ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction ...
    प्रतिस्पर्धी लाभ:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BST72A,112 उत्पाद गुणहरू

    भाग संख्या : BST72A,112
    निर्माता : NXP USA Inc.
    वर्णन : MOSFET N-CH 100V 190MA SOT54
    श्रृंखला : TrenchMOS™
    भाग स्थिति : Obsolete
    FET प्रकार : N-Channel
    टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
    स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 100V
    हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 190mA (Ta)
    ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 5V
    Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 10 Ohm @ 150mA, 5V
    Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 3.5V @ 1mA
    गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : -
    Vgs (अधिकतम) : 20V
    इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 40pF @ 10V
    FET फिचर : -
    पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 830mW (Ta)
    अपरेटिंग तापमान : 150°C (TJ)
    माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
    आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-92-3
    प्याकेज / केस : TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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