Infineon Technologies - IRF7389PBF

KEY Part #: K6523594

IRF7389PBF मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [4113पीसी स्टक]

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  • 10 pcs$0.54437
  • 100 pcs$0.43022
  • 500 pcs$0.31559
  • 1,000 pcs$0.24915

भाग संख्या:
IRF7389PBF
निर्माता:
Infineon Technologies
विस्तृत विवरण:
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, डायोडहरू - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF7389PBF उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : IRF7389PBF
निर्माता : Infineon Technologies
वर्णन : MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
श्रृंखला : HEXFET®
भाग स्थिति : Discontinued at Digi-Key
FET प्रकार : N and P-Channel
FET फिचर : Logic Level Gate
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : -
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 29 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 1V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 33nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 650pF @ 25V
पावर - अधिकतम : 2.5W
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 8-SO

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