ON Semiconductor - NTHD4P02FT1G

KEY Part #: K6392658

NTHD4P02FT1G मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [508821पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.07269
  • 6,000 pcs$0.04653

भाग संख्या:
NTHD4P02FT1G
निर्माता:
ON Semiconductor
विस्तृत विवरण:
MOSFET P-CH 20V 2.2A CHIPFET.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, Thyristors - TRIACs, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू and डायोडहरू - आरएफ ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NTHD4P02FT1G उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : NTHD4P02FT1G
निर्माता : ON Semiconductor
वर्णन : MOSFET P-CH 20V 2.2A CHIPFET
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : P-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 20V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 2.2A (Tj)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 2.5V, 4.5V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 155 mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 1.2V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 6nC @ 4.5V
Vgs (अधिकतम) : ±12V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 300pF @ 10V
FET फिचर : Schottky Diode (Isolated)
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 1.1W (Tj)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : ChipFET™
प्याकेज / केस : 8-SMD, Flat Lead

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