[867पीसी स्टक]
- भाग संख्या:
- TPCF8102(TE85L,F,M
- निर्माता:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET P-CH 20V 6A VS8 2-3U1A.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल and डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TPCF8102(TE85L,F,M electronic components. TPCF8102(TE85L,F,M can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPCF8102(TE85L,F,M, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TPCF8102(TE85L,F,M उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
TPCF8102(TE85L,F,M
निर्माता :
Toshiba Semiconductor and Storage
वर्णन :
MOSFET P-CH 20V 6A VS8 2-3U1A
श्रृंखला :
U-MOSIII
भाग स्थिति :
Obsolete
FET प्रकार :
P-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
20V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
6A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
1.8V, 4.5V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
30 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
1.2V @ 200µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
19nC @ 5V
Vgs (अधिकतम) :
±8V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
1550pF @ 10V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
700mW (Ta)
अपरेटिंग तापमान :
150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
VS-8 (2.9x1.5)
प्याकेज / केस :
8-SMD, Flat Lead
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तातो पार्ट्स
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