SH8J66TB1 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [96118पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.40680
- 2,500 pcs$0.40543
- भाग संख्या:
- SH8J66TB1
- निर्माता:
- Rohm Semiconductor
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET 2P-CH 30V 9A SOP8.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - SCRs, Thyristors - TRIACs, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या and डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Rohm Semiconductor SH8J66TB1 electronic components. SH8J66TB1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SH8J66TB1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SH8J66TB1 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
SH8J66TB1
निर्माता :
Rohm Semiconductor
वर्णन :
MOSFET 2P-CH 30V 9A SOP8
श्रृंखला :
-
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
2 P-Channel (Dual)
FET फिचर :
Logic Level Gate
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
9A
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
18.5 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
2.5V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
35nC @ 5V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
3000pF @ 10V
पावर - अधिकतम :
2W
अपरेटिंग तापमान :
150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
प्याकेज / केस :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
8-SOP
ताजा समाचारहरू
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- SI7501DN-T1-E3
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- ZXMN6A11DN8TC
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