ON Semiconductor - FCP165N65S3R0

KEY Part #: K6397453

FCP165N65S3R0 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [54133पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.72230

भाग संख्या:
FCP165N65S3R0
निर्माता:
ON Semiconductor
विस्तृत विवरण:
SUPERFET3 650V TO220 PKG.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, Thyristors - TRIACs, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, डायोडहरू - आरएफ and ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FCP165N65S3R0 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : FCP165N65S3R0
निर्माता : ON Semiconductor
वर्णन : SUPERFET3 650V TO220 PKG
श्रृंखला : SuperFET® III
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 650V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 19A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 165 mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 4.5V @ 1.9mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 39nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±30V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 1500pF @ 400V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 154W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-220-3
प्याकेज / केस : TO-220-3

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