Central Semiconductor Corp - CTLDM7120-M621H TR

KEY Part #: K6416234

CTLDM7120-M621H TR मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [34506पीसी स्टक]

  • 3,000 pcs$0.12490

भाग संख्या:
CTLDM7120-M621H TR
निर्माता:
Central Semiconductor Corp
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 20V 1A.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, Thyristors - DIACs, SIDACs and ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CTLDM7120-M621H TR उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : CTLDM7120-M621H TR
निर्माता : Central Semiconductor Corp
वर्णन : MOSFET N-CH 20V 1A
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Obsolete
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 20V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 1A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 1.5V, 4.5V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 100 mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 1.2V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 2.4nC @ 4.5V
Vgs (अधिकतम) : 8V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 220pF @ 10V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 1.6W (Ta)
अपरेटिंग तापमान : -65°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TLM621H
प्याकेज / केस : 6-XFDFN Exposed Pad
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