भाग संख्या :
APTSM120TAM33CTPAG
निर्माता :
Microsemi Corporation
वर्णन :
POWER MODULE - SIC
FET प्रकार :
6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET फिचर :
Silicon Carbide (SiC)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
1200V (1.2kV)
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
112A (Tc)
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
33 mOhm @ 60A, 20V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
3V @ 3mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
408nC @ 20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
7680pF @ 1000V
अपरेटिंग तापमान :
-40°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Chassis Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
SP6