Infineon Technologies - IRFH4257DTRPBF

KEY Part #: K6523711

[4073पीसी स्टक]


    भाग संख्या:
    IRFH4257DTRPBF
    निर्माता:
    Infineon Technologies
    विस्तृत विवरण:
    MOSFET 2N-CH 25V 25A 24PQFN.
    Manufacturer's standard lead time:
    स्टक मा
    आफ्नो जीवन:
    एक वर्ष
    बाट चिप:
    हंगकंग
    RoHS:
    भुक्तानी विधि:
    ढुवानी मार्ग:
    परिवार कोटिहरू:
    KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, डायोडहरू - आरएफ, Thyristors - SCRs, डायोडहरू - जेनर - एकल, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू and डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या ...
    प्रतिस्पर्धी लाभ:
    We specialize in Infineon Technologies IRFH4257DTRPBF electronic components. IRFH4257DTRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFH4257DTRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRFH4257DTRPBF उत्पाद गुणहरू

    भाग संख्या : IRFH4257DTRPBF
    निर्माता : Infineon Technologies
    वर्णन : MOSFET 2N-CH 25V 25A 24PQFN
    श्रृंखला : HEXFET®
    भाग स्थिति : Obsolete
    FET प्रकार : 2 N-Channel (Dual)
    FET फिचर : Logic Level Gate
    स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 25V
    हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 25A
    Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 3.4 mOhm @ 25A, 10V
    Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 2.1V @ 35µA
    गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 15nC @ 4.5V
    इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 1321pF @ 13V
    पावर - अधिकतम : 25W, 28W
    अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
    माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
    प्याकेज / केस : 8-PowerVDFN
    आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : Dual PQFN (5x4)

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      Alpha & Omega Semiconductor Inc.

      MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-TSSOP.