SIZ900DT-T1-GE3 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [3690पीसी स्टक]
- 3,000 pcs$0.33301
- भाग संख्या:
- SIZ900DT-T1-GE3
- निर्माता:
- Vishay Siliconix
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, Thyristors - TRIACs and ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Vishay Siliconix SIZ900DT-T1-GE3 electronic components. SIZ900DT-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIZ900DT-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SIZ900DT-T1-GE3 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
SIZ900DT-T1-GE3
निर्माता :
Vishay Siliconix
वर्णन :
MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR
श्रृंखला :
TrenchFET®
भाग स्थिति :
Obsolete
FET प्रकार :
2 N-Channel (Half Bridge)
FET फिचर :
Logic Level Gate
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
24A, 28A
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
7.2 mOhm @ 19.4A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
2.4V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
45nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
1830pF @ 15V
पावर - अधिकतम :
48W, 100W
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
प्याकेज / केस :
6-PowerPair™
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
6-PowerPair™
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तातो पार्ट्स
- FF8MR12W2M1B11BOMA1
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- IPG15N06S3L-45
- BSD235N L6327
- GWM220-004P3-SMD
- SI7948DP-T1-GE3
- IRF7103QTRPBF
- APTM20DUM10TG
- FDZ2553NZ
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- FDS8934A
- IRF7757TR
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- PHN210T,118
- BSG0810NDIATMA1
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