Infineon Technologies - IPSA70R950CEAKMA1

KEY Part #: K6400720

IPSA70R950CEAKMA1 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [108745पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.34013
  • 1,500 pcs$0.12495

भाग संख्या:
IPSA70R950CEAKMA1
निर्माता:
Infineon Technologies
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 700V 8.7A TO251-3.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , Thyristors - SCRs, डायोडहरू - जेनर - एर्रे and ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPSA70R950CEAKMA1 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : IPSA70R950CEAKMA1
निर्माता : Infineon Technologies
वर्णन : MOSFET N-CH 700V 8.7A TO251-3
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 700V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 8.7A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 950 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 3.5V @ 150µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 15.3nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 328pF @ 100V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 94W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : PG-TO251-3-347
प्याकेज / केस : TO-251-3 Stub Leads, IPak

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