भाग संख्या :
CXDM6053N TR
निर्माता :
Central Semiconductor Corp
वर्णन :
MOSFET N-CH 60V 5.3A SOT-89
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
60V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
5.3A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
41 mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
3V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
8.8nC @ 5V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
920pF @ 30V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
1.2W (Ta)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
SOT-89