भाग संख्या :
DMTH6009LPSQ-13
निर्माता :
Diodes Incorporated
वर्णन :
MOSFET BVDSS 41V-60V POWERDI506
श्रृंखला :
Automotive, AEC-Q101
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
60V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
11.76A (Ta), 89.5A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
10 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
2V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
33.5nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
1925pF @ 30V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
2.8W (Ta), 136W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
PowerDI5060-8
प्याकेज / केस :
8-PowerTDFN