IXFR16N120P मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [6381पीसी स्टक]
- 1 pcs$7.46278
- 30 pcs$7.42565
- भाग संख्या:
- IXFR16N120P
- निर्माता:
- IXYS
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CH 1200V 9A ISOPLUS247.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, Thyristors - SCRs, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, and डायोडहरू - जेनर - एकल ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in IXYS IXFR16N120P electronic components. IXFR16N120P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFR16N120P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXFR16N120P उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
IXFR16N120P
निर्माता :
IXYS
वर्णन :
MOSFET N-CH 1200V 9A ISOPLUS247
श्रृंखला :
HiPerFET™, PolarP2™
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
1200V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
9A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
1.04 Ohm @ 8A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
6.5V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
120nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±30V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
6900pF @ 25V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
230W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
ISOPLUS247™
प्याकेज / केस :
ISOPLUS247™
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