CSD17579Q5AT मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [209482पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.19523
- 250 pcs$0.19425
- 500 pcs$0.16532
- 750 pcs$0.14465
- 1,250 pcs$0.13226
- भाग संख्या:
- CSD17579Q5AT
- निर्माता:
- Texas Instruments
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CH 30V 25A 8VSON.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, डायोडहरू - जेनर - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल and Thyristors - TRIACs ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
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CSD17579Q5AT उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
CSD17579Q5AT
निर्माता :
Texas Instruments
वर्णन :
MOSFET N-CH 30V 25A 8VSON
श्रृंखला :
NexFET™
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
25A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
9.7 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
2V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
15.1nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
1030pF @ 15V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
3.1W (Ta), 36W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
8-VSONP (5x6)
प्याकेज / केस :
8-PowerTDFN
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