SI7102DN-T1-GE3 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [3089पीसी स्टक]
- 3,000 pcs$0.37874
- भाग संख्या:
- SI7102DN-T1-GE3
- निर्माता:
- Vishay Siliconix
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CH 12V 35A 1212-8.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प and डायोडहरू - जेनर - एकल ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Vishay Siliconix SI7102DN-T1-GE3 electronic components. SI7102DN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7102DN-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI7102DN-T1-GE3 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
SI7102DN-T1-GE3
निर्माता :
Vishay Siliconix
वर्णन :
MOSFET N-CH 12V 35A 1212-8
श्रृंखला :
TrenchFET®
भाग स्थिति :
Obsolete
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
12V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
35A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
2.5V, 4.5V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
3.8 mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
1V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
110nC @ 8V
Vgs (अधिकतम) :
±8V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
3720pF @ 6V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
3.8W (Ta), 52W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-50°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
PowerPAK® 1212-8
प्याकेज / केस :
PowerPAK® 1212-8
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