PSMN1R7-30YL,115 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [161941पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.22840
- 1,500 pcs$0.18749
- भाग संख्या:
- PSMN1R7-30YL,115
- निर्माता:
- Nexperia USA Inc.
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, Thyristors - TRIACs and ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
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PSMN1R7-30YL,115 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
PSMN1R7-30YL,115
निर्माता :
Nexperia USA Inc.
वर्णन :
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
श्रृंखला :
-
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
100A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
1.7 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
2.15V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
77.9nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
5057pF @ 12V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
109W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
LFPAK56, Power-SO8
प्याकेज / केस :
SC-100, SOT-669
ताजा समाचारहरू
तपाईलाई पनि चासो लाग्न सक्छ
तातो पार्ट्स
- BUK9C5R3-100EJ
- AON6758_103
- 2SK4066-DL-1EX
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- HUFA75343S3S
- IRLR2905TRR
- IRFR1N60ATR
- IPW60R075CPAFKSA1
- IRLU3103
- STD8NM60N
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- SIR836DP-T1-GE3
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