ON Semiconductor - ECH8601M-C-TL-H

KEY Part #: K6523740

[4065पीसी स्टक]


    भाग संख्या:
    ECH8601M-C-TL-H
    निर्माता:
    ON Semiconductor
    विस्तृत विवरण:
    MOSFET 2N-CH 24V 8A ECH8.
    Manufacturer's standard lead time:
    स्टक मा
    आफ्नो जीवन:
    एक वर्ष
    बाट चिप:
    हंगकंग
    RoHS:
    भुक्तानी विधि:
    ढुवानी मार्ग:
    परिवार कोटिहरू:
    KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, डायोडहरू - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, Thyristors - TRIACs and Thyristors - DIACs, SIDACs ...
    प्रतिस्पर्धी लाभ:
    We specialize in ON Semiconductor ECH8601M-C-TL-H electronic components. ECH8601M-C-TL-H can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ECH8601M-C-TL-H, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    ECH8601M-C-TL-H उत्पाद गुणहरू

    भाग संख्या : ECH8601M-C-TL-H
    निर्माता : ON Semiconductor
    वर्णन : MOSFET 2N-CH 24V 8A ECH8
    श्रृंखला : -
    भाग स्थिति : Obsolete
    FET प्रकार : 2 N-Channel (Dual) Common Drain
    FET फिचर : Logic Level Gate, 2.5V Drive
    स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 24V
    हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 8A
    Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 23 mOhm @ 4A, 4.5V
    Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : -
    गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 7.5nC @ 4.5V
    इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : -
    पावर - अधिकतम : 1.5W
    अपरेटिंग तापमान : 150°C (TJ)
    माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
    प्याकेज / केस : 8-SMD, Flat Lead
    आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 8-ECH

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