Vishay Siliconix - SQ1470AEH-T1_GE3

KEY Part #: K6421302

SQ1470AEH-T1_GE3 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [431769पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.08567
  • 3,000 pcs$0.07283

भाग संख्या:
SQ1470AEH-T1_GE3
निर्माता:
Vishay Siliconix
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, Thyristors - TRIACs, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, Thyristors - SCRs, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
We specialize in Vishay Siliconix SQ1470AEH-T1_GE3 electronic components. SQ1470AEH-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQ1470AEH-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQ1470AEH-T1_GE3 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : SQ1470AEH-T1_GE3
निर्माता : Vishay Siliconix
वर्णन : MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70
श्रृंखला : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 1.7A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 2.5V, 4.5V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 65 mOhm @ 4.2A, 4.5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 1.6V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 5.2nC @ 4.5V
Vgs (अधिकतम) : ±12V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 450pF @ 15V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 3.3W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : SOT-363, SC70
प्याकेज / केस : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

तपाईलाई पनि चासो लाग्न सक्छ