Infineon Technologies - IPI80P04P4L06AKSA1

KEY Part #: K6401849

IPI80P04P4L06AKSA1 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [2908पीसी स्टक]

  • 500 pcs$0.41017

भाग संख्या:
IPI80P04P4L06AKSA1
निर्माता:
Infineon Technologies
विस्तृत विवरण:
MOSFET P-CH TO262-3.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ and ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPI80P04P4L06AKSA1 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : IPI80P04P4L06AKSA1
निर्माता : Infineon Technologies
वर्णन : MOSFET P-CH TO262-3
श्रृंखला : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
भाग स्थिति : Obsolete
FET प्रकार : P-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 40V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 80A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 6.7 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 2.2V @ 150µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 104nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : +5V, -16V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 6580pF @ 25V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 88W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : PG-TO262-3-1
प्याकेज / केस : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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