STMicroelectronics - STB14N80K5

KEY Part #: K6396642

STB14N80K5 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [42970पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.90993
  • 1,000 pcs$0.80999

भाग संख्या:
STB14N80K5
निर्माता:
STMicroelectronics
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , डायोडहरू - जेनर - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ and ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STB14N80K5 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : STB14N80K5
निर्माता : STMicroelectronics
वर्णन : MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK
श्रृंखला : MDmesh™ K5
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 800V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 12A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 445 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 5V @ 100µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 22nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±30V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 620pF @ 100V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 130W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : D2PAK
प्याकेज / केस : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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