भाग संख्या :
DMJ70H1D3SI3
निर्माता :
Diodes Incorporated
वर्णन :
MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
700V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
4.6A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
1.3 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
4V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
13.9nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
351pF @ 50V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
41W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
TO-251
प्याकेज / केस :
TO-251-3 Stub Leads, IPak