Infineon Technologies - IRF7329TRPBF

KEY Part #: K6524980

IRF7329TRPBF मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [153094पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.24160
  • 4,000 pcs$0.22950

भाग संख्या:
IRF7329TRPBF
निर्माता:
Infineon Technologies
विस्तृत विवरण:
MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, Thyristors - SCRs and डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF7329TRPBF उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : IRF7329TRPBF
निर्माता : Infineon Technologies
वर्णन : MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC
श्रृंखला : HEXFET®
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : 2 P-Channel (Dual)
FET फिचर : Logic Level Gate
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 12V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 9.2A
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 17 mOhm @ 9.2A, 4.5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 900mV @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 57nC @ 4.5V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 3450pF @ 10V
पावर - अधिकतम : 2W
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 8-SO

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