IXYS - MMIX1T550N055T2

KEY Part #: K6395852

MMIX1T550N055T2 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [2788पीसी स्टक]

  • 1 pcs$17.16914
  • 20 pcs$17.08372

भाग संख्या:
MMIX1T550N055T2
निर्माता:
IXYS
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 55V 550A SMPD.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, डायोडहरू - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, Thyristors - DIACs, SIDACs, डायोडहरू - जेनर - एकल and ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
We specialize in IXYS MMIX1T550N055T2 electronic components. MMIX1T550N055T2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MMIX1T550N055T2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MMIX1T550N055T2 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : MMIX1T550N055T2
निर्माता : IXYS
वर्णन : MOSFET N-CH 55V 550A SMPD
श्रृंखला : FRFET®, SupreMOS®
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 55V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 550A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 1.3 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 3.8V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 595nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 40000pF @ 25V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 830W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 24-SMPD
प्याकेज / केस : 24-PowerSMD, 21 Leads

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