Vishay Siliconix - VQ1001P

KEY Part #: K6523758

[4058पीसी स्टक]


    भाग संख्या:
    VQ1001P
    निर्माता:
    Vishay Siliconix
    विस्तृत विवरण:
    MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP.
    Manufacturer's standard lead time:
    स्टक मा
    आफ्नो जीवन:
    एक वर्ष
    बाट चिप:
    हंगकंग
    RoHS:
    भुक्तानी विधि:
    ढुवानी मार्ग:
    परिवार कोटिहरू:
    KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, Thyristors - SCRs, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू and Thyristors - TRIACs ...
    प्रतिस्पर्धी लाभ:
    We specialize in Vishay Siliconix VQ1001P electronic components. VQ1001P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VQ1001P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    VQ1001P उत्पाद गुणहरू

    भाग संख्या : VQ1001P
    निर्माता : Vishay Siliconix
    वर्णन : MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
    श्रृंखला : -
    भाग स्थिति : Obsolete
    FET प्रकार : 4 N-Channel
    FET फिचर : Logic Level Gate
    स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 30V
    हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 830mA
    Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 1.75 Ohm @ 200mA, 5V
    Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 2.5V @ 1mA
    गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : -
    इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 110pF @ 15V
    पावर - अधिकतम : 2W
    अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
    माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
    प्याकेज / केस : -
    आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 14-DIP

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