Infineon Technologies - IPI90N06S4L04AKSA2

KEY Part #: K6418189

IPI90N06S4L04AKSA2 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [55006पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.71084
  • 500 pcs$0.59703

भाग संख्या:
IPI90N06S4L04AKSA2
निर्माता:
Infineon Technologies
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, Thyristors - DIACs, SIDACs, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या and डायोडहरू - आरएफ ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPI90N06S4L04AKSA2 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : IPI90N06S4L04AKSA2
निर्माता : Infineon Technologies
वर्णन : MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
श्रृंखला : OptiMOS™
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 60V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 90A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 3.7 mOhm @ 90A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 2.2V @ 90µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 170nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±16V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 13000pF @ 25V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 150W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : PG-TO262-3-1
प्याकेज / केस : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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