Vishay Siliconix - SI8435DB-T1-E1

KEY Part #: K6408579

[579पीसी स्टक]


    भाग संख्या:
    SI8435DB-T1-E1
    निर्माता:
    Vishay Siliconix
    विस्तृत विवरण:
    MOSFET P-CH 20V 10A 2X2 4-MFP.
    Manufacturer's standard lead time:
    स्टक मा
    आफ्नो जीवन:
    एक वर्ष
    बाट चिप:
    हंगकंग
    RoHS:
    भुक्तानी विधि:
    ढुवानी मार्ग:
    परिवार कोटिहरू:
    KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, Thyristors - DIACs, SIDACs, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , Thyristors - TRIACs and Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू ...
    प्रतिस्पर्धी लाभ:
    We specialize in Vishay Siliconix SI8435DB-T1-E1 electronic components. SI8435DB-T1-E1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI8435DB-T1-E1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI8435DB-T1-E1 उत्पाद गुणहरू

    भाग संख्या : SI8435DB-T1-E1
    निर्माता : Vishay Siliconix
    वर्णन : MOSFET P-CH 20V 10A 2X2 4-MFP
    श्रृंखला : TrenchFET®
    भाग स्थिति : Obsolete
    FET प्रकार : P-Channel
    टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
    स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 20V
    हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 10A (Tc)
    ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 1.5V, 4.5V
    Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 41 mOhm @ 1A, 4.5V
    Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 1V @ 250µA
    गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 35nC @ 5V
    Vgs (अधिकतम) : ±5V
    इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 1600pF @ 10V
    FET फिचर : -
    पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 2.78W (Ta), 6.25W (Tc)
    अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
    माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
    आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 4-Microfoot
    प्याकेज / केस : 4-XFBGA, CSPBGA

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