भाग संख्या :
TK20V60W,LVQ
निर्माता :
Toshiba Semiconductor and Storage
वर्णन :
MOSFET N CH 600V 20A 5DFN
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
600V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
20A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
170 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
3.7V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
48nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
1680pF @ 300V
FET फिचर :
Super Junction
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
156W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
4-DFN-EP (8x8)
प्याकेज / केस :
4-VSFN Exposed Pad