Infineon Technologies - IRF8252TRPBF-1

KEY Part #: K6401867

[2902पीसी स्टक]


    भाग संख्या:
    IRF8252TRPBF-1
    निर्माता:
    Infineon Technologies
    विस्तृत विवरण:
    MOSFET N-CH 25V 25A.
    Manufacturer's standard lead time:
    स्टक मा
    आफ्नो जीवन:
    एक वर्ष
    बाट चिप:
    हंगकंग
    RoHS:
    भुक्तानी विधि:
    ढुवानी मार्ग:
    परिवार कोटिहरू:
    KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , डायोडहरू - जेनर - एर्रे, डायोडहरू - जेनर - एकल, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, Thyristors - DIACs, SIDACs, Thyristors - SCRs and ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF ...
    प्रतिस्पर्धी लाभ:
    We specialize in Infineon Technologies IRF8252TRPBF-1 electronic components. IRF8252TRPBF-1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF8252TRPBF-1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRF8252TRPBF-1 उत्पाद गुणहरू

    भाग संख्या : IRF8252TRPBF-1
    निर्माता : Infineon Technologies
    वर्णन : MOSFET N-CH 25V 25A
    श्रृंखला : HEXFET®
    भाग स्थिति : Obsolete
    FET प्रकार : N-Channel
    टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
    स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 25V
    हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 25A (Ta)
    ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 4.5V, 10V
    Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 2.7 mOhm @ 25A, 10V
    Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 2.35V @ 100µA
    गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 53nC @ 4.5V
    Vgs (अधिकतम) : ±20V
    इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 5305pF @ 13V
    FET फिचर : -
    पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 2.5W (Ta)
    अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
    माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
    आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 8-SO
    प्याकेज / केस : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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