IPB107N20NAATMA1 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [20294पीसी स्टक]
- 1 pcs$2.03079
- भाग संख्या:
- IPB107N20NAATMA1
- निर्माता:
- Infineon Technologies
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, डायोडहरू - आरएफ, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या and Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Infineon Technologies IPB107N20NAATMA1 electronic components. IPB107N20NAATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB107N20NAATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPB107N20NAATMA1 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
IPB107N20NAATMA1
निर्माता :
Infineon Technologies
वर्णन :
MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3
श्रृंखला :
OptiMOS™
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
200V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
88A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
10.7 mOhm @ 88A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
4V @ 270µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
87nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
7100pF @ 100V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
300W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
D²PAK (TO-263AB)
प्याकेज / केस :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ताजा समाचारहरू
तपाईलाई पनि चासो लाग्न सक्छ
तातो पार्ट्स
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- BSS123ATA
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- RJK6006DPP-E0#T2
- IRLBD59N04ETRLP
- BSS209PW
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- TK9P65W,RQ
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