IRFHS8242TRPBF मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [487572पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.07586
- 4,000 pcs$0.07283
- भाग संख्या:
- IRFHS8242TRPBF
- निर्माता:
- Infineon Technologies
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CH 25V 9.9A PQFN.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - जेनर - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, Thyristors - DIACs, SIDACs, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल and ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Infineon Technologies IRFHS8242TRPBF electronic components. IRFHS8242TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFHS8242TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFHS8242TRPBF उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
IRFHS8242TRPBF
निर्माता :
Infineon Technologies
वर्णन :
MOSFET N-CH 25V 9.9A PQFN
श्रृंखला :
HEXFET®
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
25V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
9.9A (Ta), 21A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
13 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
2.35V @ 25µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
10.4nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
653pF @ 10V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
2.1W (Ta)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
6-PQFN (2x2)
प्याकेज / केस :
6-PowerVDFN
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