वर्णन :
MOSFET N-CH 500V 24A TO-247
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
500V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
24A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
20V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
300 mOhm @ 500mA, 20V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
5V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
160nC @ 20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
2500pF @ 25V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
400W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
TO-247 (IXTH)