Infineon Technologies - BSG0810NDIATMA1

KEY Part #: K6525135

BSG0810NDIATMA1 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [83416पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.46874
  • 5,000 pcs$0.46121

भाग संख्या:
BSG0810NDIATMA1
निर्माता:
Infineon Technologies
विस्तृत विवरण:
MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, Thyristors - DIACs, SIDACs, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, Thyristors - TRIACs, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSG0810NDIATMA1 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : BSG0810NDIATMA1
निर्माता : Infineon Technologies
वर्णन : MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON
श्रृंखला : OptiMOS™
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET फिचर : Logic Level Gate, 4.5V Drive
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 25V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 19A, 39A
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 2V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 8.4nC @ 4.5V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 1040pF @ 12V
पावर - अधिकतम : 2.5W
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 155°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : 8-PowerTDFN
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : PG-TISON-8

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