भाग संख्या :
SSM6L16FETE85LF
निर्माता :
Toshiba Semiconductor and Storage
वर्णन :
MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6
भाग स्थिति :
Not For New Designs
FET प्रकार :
N and P-Channel
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
20V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
100mA
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
3 Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
1.1V @ 0.1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
-
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
9.3pF @ 3V
अपरेटिंग तापमान :
150°C (TA)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
प्याकेज / केस :
SOT-563, SOT-666
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
ES6 (1.6x1.6)