NXP USA Inc. - BUK952R8-60E,127

KEY Part #: K6400045

[3534पीसी स्टक]


    भाग संख्या:
    BUK952R8-60E,127
    निर्माता:
    NXP USA Inc.
    विस्तृत विवरण:
    MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB.
    Manufacturer's standard lead time:
    स्टक मा
    आफ्नो जीवन:
    एक वर्ष
    बाट चिप:
    हंगकंग
    RoHS:
    भुक्तानी विधि:
    ढुवानी मार्ग:
    परिवार कोटिहरू:
    KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - DIACs, SIDACs, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या and ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प ...
    प्रतिस्पर्धी लाभ:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BUK952R8-60E,127 उत्पाद गुणहरू

    भाग संख्या : BUK952R8-60E,127
    निर्माता : NXP USA Inc.
    वर्णन : MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
    श्रृंखला : TrenchMOS™
    भाग स्थिति : Obsolete
    FET प्रकार : N-Channel
    टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
    स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 60V
    हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 120A (Tc)
    ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 5V, 10V
    Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 2.6 mOhm @ 25A, 10V
    Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 2.1V @ 1mA
    गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 120nC @ 5V
    Vgs (अधिकतम) : ±10V
    इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 17450pF @ 25V
    FET फिचर : -
    पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 349W (Tc)
    अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 175°C (TJ)
    माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
    आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-220AB
    प्याकेज / केस : TO-220-3

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