Infineon Technologies - IPN50R800CEATMA1

KEY Part #: K6411676

IPN50R800CEATMA1 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [342958पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.10785
  • 3,000 pcs$0.08908

भाग संख्या:
IPN50R800CEATMA1
निर्माता:
Infineon Technologies
विस्तृत विवरण:
CONSUMER.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF and Thyristors - TRIACs ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPN50R800CEATMA1 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : IPN50R800CEATMA1
निर्माता : Infineon Technologies
वर्णन : CONSUMER
श्रृंखला : CoolMOS™ CE
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 500V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 7.6A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 13V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 800 mOhm @ 1.5A, 13V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 3.5V @ 130µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 12.4nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 280pF @ 100V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 5W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : PG-SOT223
प्याकेज / केस : TO-261-3

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