Vishay Siliconix - SI4900DY-T1-GE3

KEY Part #: K6522934

SI4900DY-T1-GE3 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [168688पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.22036
  • 2,500 pcs$0.21927

भाग संख्या:
SI4900DY-T1-GE3
निर्माता:
Vishay Siliconix
विस्तृत विवरण:
MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - DIACs, SIDACs, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, डायोडहरू - आरएफ, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, डायोडहरू - जेनर - एर्रे and पावर ड्राइभर मोड्युलहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4900DY-T1-GE3 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : SI4900DY-T1-GE3
निर्माता : Vishay Siliconix
वर्णन : MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC
श्रृंखला : TrenchFET®
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : 2 N-Channel (Dual)
FET फिचर : Logic Level Gate
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 60V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 5.3A
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 58 mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 3V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 20nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 665pF @ 15V
पावर - अधिकतम : 3.1W
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 8-SO

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