DMN3190LDW-7 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [974181पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.03797
- 3,000 pcs$0.03480
- भाग संख्या:
- DMN3190LDW-7
- निर्माता:
- Diodes Incorporated
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल and ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Diodes Incorporated DMN3190LDW-7 electronic components. DMN3190LDW-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN3190LDW-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMN3190LDW-7 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
DMN3190LDW-7
निर्माता :
Diodes Incorporated
वर्णन :
MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
श्रृंखला :
-
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
2 N-Channel (Dual)
FET फिचर :
Logic Level Gate
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
1A
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
190 mOhm @ 1.3A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
2.8V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
2nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
87pF @ 20V
पावर - अधिकतम :
320mW
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
प्याकेज / केस :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
SOT-363
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