BSC084P03NS3EGATMA1 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [194062पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.19060
- 5,000 pcs$0.18296
- भाग संख्या:
- BSC084P03NS3EGATMA1
- निर्माता:
- Infineon Technologies
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET P-CH 30V 14.9A TDSON-8.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, Thyristors - SCRs, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल and डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Infineon Technologies BSC084P03NS3EGATMA1 electronic components. BSC084P03NS3EGATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC084P03NS3EGATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BSC084P03NS3EGATMA1 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
BSC084P03NS3EGATMA1
निर्माता :
Infineon Technologies
वर्णन :
MOSFET P-CH 30V 14.9A TDSON-8
श्रृंखला :
OptiMOS™
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
P-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
14.9A (Ta), 78.6A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
6V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
8.4 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
3V @ 110µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
57.7nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±25V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
4240pF @ 15V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
2.5W (Ta), 69W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
PG-TDSON-8
प्याकेज / केस :
8-PowerTDFN
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