Rohm Semiconductor - RD3H045SPFRATL

KEY Part #: K6403328

RD3H045SPFRATL मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [186282पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.19856

भाग संख्या:
RD3H045SPFRATL
निर्माता:
Rohm Semiconductor
विस्तृत विवरण:
RD3H045SPFRA IS A POWER MOSFET W.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, डायोडहरू - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction and ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RD3H045SPFRATL उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : RD3H045SPFRATL
निर्माता : Rohm Semiconductor
वर्णन : RD3H045SPFRA IS A POWER MOSFET W
श्रृंखला : Automotive, AEC-Q101
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : P-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 45V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 4.5A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 4V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 155 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 3V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 12nC @ 5V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 550pF @ 10V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 15W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-252
प्याकेज / केस : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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