भाग संख्या :
PSMN0R9-30ULDX
निर्माता :
Nexperia USA Inc.
वर्णन :
MOSFET N-CH 30V 300A 56LFPAK
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
300A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
0.87 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
2.2V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
109nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
7668pF @ 15V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
227W (Ta)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
LFPAK56, Power-SO8
प्याकेज / केस :
SOT-1023, 4-LFPAK