भाग संख्या :
SQJ962EP-T1-GE3
निर्माता :
Vishay Siliconix
वर्णन :
MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO
श्रृंखला :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET प्रकार :
2 N-Channel (Dual)
FET फिचर :
Logic Level Gate
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
60V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
8A
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
60 mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
2.5V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
14nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
475pF @ 25V
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
प्याकेज / केस :
PowerPAK® SO-8 Dual
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
PowerPAK® SO-8 Dual