Vishay Siliconix - SIZ904DT-T1-GE3

KEY Part #: K6522050

SIZ904DT-T1-GE3 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [168713पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.21923
  • 3,000 pcs$0.20587

भाग संख्या:
SIZ904DT-T1-GE3
निर्माता:
Vishay Siliconix
विस्तृत विवरण:
MOSFET 2N-CH 30V 12A POWERPAIR.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, डायोडहरू - जेनर - एकल, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, Thyristors - SCRs, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, डायोडहरू - आरएफ and डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIZ904DT-T1-GE3 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : SIZ904DT-T1-GE3
निर्माता : Vishay Siliconix
वर्णन : MOSFET 2N-CH 30V 12A POWERPAIR
श्रृंखला : TrenchFET®
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : 2 N-Channel (Half Bridge)
FET फिचर : Logic Level Gate
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 12A, 16A
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 24 mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 2.5V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 12nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 435pF @ 15V
पावर - अधिकतम : 20W, 33W
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : 6-PowerPair™
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 6-PowerPair™

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