SQ4949EY-T1_GE3 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [112388पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.32910
- भाग संख्या:
- SQ4949EY-T1_GE3
- निर्माता:
- Vishay Siliconix
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET 2 P-CH 30V 7.5A 8SOIC.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, डायोडहरू - जेनर - एकल, Thyristors - DIACs, SIDACs, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल and ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Vishay Siliconix SQ4949EY-T1_GE3 electronic components. SQ4949EY-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQ4949EY-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SQ4949EY-T1_GE3 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
SQ4949EY-T1_GE3
निर्माता :
Vishay Siliconix
वर्णन :
MOSFET 2 P-CH 30V 7.5A 8SOIC
श्रृंखला :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
2 P-Channel (Dual)
FET फिचर :
Standard
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
7.5A (Tc)
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
35 mOhm @ 5.9A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
2.5V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
30nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
1020pF @ 25V
पावर - अधिकतम :
3.3W
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
प्याकेज / केस :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
8-SOIC
ताजा समाचारहरू
तपाईलाई पनि चासो लाग्न सक्छ
तातो पार्ट्स
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