IPI120P04P4L03AKSA1 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [2906पीसी स्टक]
- 500 pcs$0.65724
- भाग संख्या:
- IPI120P04P4L03AKSA1
- निर्माता:
- Infineon Technologies
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET P-CH TO262-3.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - DIACs, SIDACs, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, Thyristors - SCRs and ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Infineon Technologies IPI120P04P4L03AKSA1 electronic components. IPI120P04P4L03AKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPI120P04P4L03AKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPI120P04P4L03AKSA1 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
IPI120P04P4L03AKSA1
निर्माता :
Infineon Technologies
वर्णन :
MOSFET P-CH TO262-3
श्रृंखला :
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
भाग स्थिति :
Obsolete
FET प्रकार :
P-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
40V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
120A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
3.4 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
2.2V @ 340µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
234nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±16V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
15000pF @ 25V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
136W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
PG-TO262-3-1
प्याकेज / केस :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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