Renesas Electronics America - RJK2006DPE-00#J3

KEY Part #: K6403918

[2192पीसी स्टक]


    भाग संख्या:
    RJK2006DPE-00#J3
    निर्माता:
    Renesas Electronics America
    विस्तृत विवरण:
    MOSFET N-CH 200V 40A LDPAK.
    Manufacturer's standard lead time:
    स्टक मा
    आफ्नो जीवन:
    एक वर्ष
    बाट चिप:
    हंगकंग
    RoHS:
    भुक्तानी विधि:
    ढुवानी मार्ग:
    परिवार कोटिहरू:
    KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - जेनर - एर्रे, Thyristors - SCRs, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, डायोडहरू - आरएफ and डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या ...
    प्रतिस्पर्धी लाभ:
    We specialize in Renesas Electronics America RJK2006DPE-00#J3 electronic components. RJK2006DPE-00#J3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RJK2006DPE-00#J3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    RJK2006DPE-00#J3 उत्पाद गुणहरू

    भाग संख्या : RJK2006DPE-00#J3
    निर्माता : Renesas Electronics America
    वर्णन : MOSFET N-CH 200V 40A LDPAK
    श्रृंखला : -
    भाग स्थिति : Active
    FET प्रकार : N-Channel
    टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
    स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 200V
    हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 40A (Ta)
    ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
    Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 59 mOhm @ 20A, 10V
    Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : -
    गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 43nC @ 10V
    Vgs (अधिकतम) : ±30V
    इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 1800pF @ 25V
    FET फिचर : -
    पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 100W (Tc)
    अपरेटिंग तापमान : 150°C (TJ)
    माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
    आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 4-LDPAK
    प्याकेज / केस : SC-83

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